Supplier | Part No | Manufacturer | Price | Stock![](/static/search/desc.gif) | |
ИП Хайруллина![Fresh data!](/static/search/fresh_s.gif) | Круг стальной 18-Б ГОСТ 2590-2006 ст.12Х18Н10Т ГОСТ 5949-75 4 нед; , Package: : 1278 этикетка; , D/c: : 2017 | | bulk: 3234 RUB | 12 | |
ASOURCING ELECTRONICS | BSZ088N03MSG В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; , Package: : #N/A; , D/c: : 2021 | Infineon | | 1000 | |
Icseek Global Limited | BSZ088N03MS G Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 13240 | |
Icseek Global Limited | BSZ088N03MSG Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 13240 | |
Icseek Global Limited | BSZ088N03MSGATMA1 Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 13240 | |
AN-CHIP![Fresh data!](/static/search/fresh_s.gif) | BSZ088N03MSG микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 4-5 недель, цена по запросу; , Package: : N/A; , Min order: : 1; , D/c: : DC: 20+/21 | Infineon Technologies (IR) | | 33403 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited![Fresh data!](/static/search/fresh_s.gif) | BSZ088N03MS G Package: : QFN8; , D/c: : 22+ | Infineon | | 45000 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited![Fresh data!](/static/search/fresh_s.gif) | BSZ088N03MSGATMA1 Package: : PQFN3x3(PG-TSDSON-8); , D/c: : 22+ | ACTIVE | | 45000 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited![Fresh data!](/static/search/fresh_s.gif) | BSZ088N03MSG Package: : PG-TSDSON-8; , D/c: : 22+ | Infineon | | 55000 | |
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic![Fresh data!](/static/search/fresh_s.gif) | BSZ088N03MSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Подробнее | Infineon Technologies | | 141018 | |
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic![Fresh data!](/static/search/fresh_s.gif) | BSZ088N03MSG BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Подробнее | Infineon Technologies | | 156414 | |
ООО "Интегральные схемы" | BSZ088N03MSG | | | from 7 days | |
Aspect | BSZ088N03MSG | | | from 7 days | |
Symmetron | BSZ088N03MSGATMA1 MOSFET транзистор BSZ088N03MSGATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 8 мОм; Qg: 9,9 нКл; Корпус: S3O8 (3x3mm style SuperSO8) Подробнее | Infineon | | | |