Semiconductor Group
491
10.95
SFH 523
Eigenschaften
Substratscheibe:
4600
±
1400
cm
Chipdicke:
381
±
15
µ
m
Vorderseite:
Aluminiumkontakt 1,4
µ
m
Aluminiumabdeckung ganzflächig 0,1
µ
m
Rückseite:
0,4
µ
m Gold/Arsen
q
Kleiner Dunkelstrom
q
Niedrige Kapazität
q
Hohe Durchbruchspannung ermöglicht Betrieb bei voll ausgeräumten Chip
Features
Substrate:
4600
±
1400
cm
Chip thickness:
381
±
15
µ
m
Topside:
Aluminium contact 1.4
µ
m
Aluminium total cover 0.1
µ
m
Backside:
0.4
µ
m Au/As
q
Low dark current
q
Low capacitance
q
High breakdown voltage permits operation at full depletion
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 523
Q62702-P422
-
-
-
Strahlungsdetektor
SFH 523
-
-
-
Radiation Detector
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fso06877
Semiconductor Group
492
SFH 523
Kennwerte
Characteristics
Current and Capacitance Characteristics per cm
2
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Sperrspannung
Breakdown voltage
100
µ
A
V
R
> 180
V
Dunkelstrom
Dark current
80 V
150 V
I
R
(< 120)
60 (< 240)
nA
Flußspannung
Forward voltage
100 mA
V
F
0.7 (< 2)
V
Kapazität
Capacitance
f
= 1 MHz,
E
v
= 0
80 V
150 V
C
360
270
pF
Kapazität pro cm
2
Capacitance per cm
2
120 V
C
/cm
2
32
pF
Betriebsspannung
Operating voltage
V
op
90 ... 120
V
Ladungsträger - Lebensdauer
Charge carrier - lifetime
10
msec.
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