Semiconductor Group
1
1998-06-26
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q
Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q
Sehr plane Oberfläche
q
Gehäusegleich mit SFH 217
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q
LWL
Features
q
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
Small tolerance: Chip surface to case
surface
q
Good spectral match to silicon
photodetectors
q
Plane surface
q
Same package as SFH 217
Applications
q
Light-reflection switches for steady and
varying intensity (max. 500 kHz)
q
Fibre optic transmission
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 485 P
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 485 P
Q62703-Q516
5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
''), anode marking: short lead.
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
3.85
3.35
5.0
4.2
1.0
0.5
29
27
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06306
Cathode
fex06306
SFH 485 P
Semiconductor Group
2
1998-06-26
Grenzwerte (
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
°
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
100
mA
Stoßstrom,
10
µ
s
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200
mW
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
R
thJA
375
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
,
I
F
= 100 m A
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
±
40
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.16
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
0.4
×
0.4
mm
Abstand Chipoberfläche bis
Gehäusevorderseite
Distance chip front to case surface
H
0.5 ... 1
mm
Semiconductor Group
3
1998-06-26
SFH 485 P
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping at radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.6/0.5
µ
s
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
V
F
1.5
(<
1.8)
3.0
(<
3.8)
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
µ
A
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
25
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient or
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 100 mA
TC
0.25
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
> 3.15
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
I
e typ.
48
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 485 P
Semiconductor Group
4
1998-06-26
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current,
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
0
750
rel
OHR00877
800
850
900
950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
°
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
10
OHR00878
e
F
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
10
1
10
2
10
4
mA
e
(100mA)
3
10
10
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
s
=
D
F
T
DC
0.005
=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
°
C
T
OHR00880
0
F
0
20
40
60
80
100
°C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
0
0
5
10
15
20
25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR01893
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP