Semiconductor Group
1
1998-04-16
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fet06090
fet06091
fet06092
ø5.6
2.54
spacing
ø4.8
ø4.6
(2.7)
5.5
5.0
5.3
5.0
14.5
12.5
ø0.45
Radiant sensitive area
GET06013
Approx. weight 0.5 g
Chip position
Cathode (SFH 402, BPX 65)
ø5.3
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode (SFH 482)
(2.7)
ø0.45
14.5
12.5
5.3
5.0
6.4
5.6
Chip position
2.54 mm
spacing
ø4.8
glass
lens
welded
Approx. weight 0.35 g
ø5.6
ø5.3
Anode
Cathode
= SFH 481
= SFH 401
GET06091
(package)
ø4.6
0.9
1.1
1.1
0.9
ø5.6
ø5.3
2.54mm
spacing
ø0.45
Cathode (SFH 480)
(2.7)
14.5
12.5
5.3
5.0
ø4.8
ø4.6
GEO06314
Approx. weight 0.5 g
7.4
6.6
0.9
1.1
1.1
0.9
SFH 400)
Anode
Radiant
Sensitive area
Chip position
(SFH 216, SFH 231,
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Semiconductor Group
2
1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 480-2
Q62703-Q1662
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-
Raster (
1
/
10
''), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge-
häuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
''), cathode marking: projection at package
SFH 480-3
Q62703-Q1663
SFH 481
Q62703-Q1088
SFH 481-1
Q62703-Q1664
SFH 481-2
Q62703-Q1665
SFH 482
Q62703-Q1089
SFH 482-1
Q62703-Q1667
SFH 482-2
Q62703-Q1668
SFH 482-3
Q62703-Q1669
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
q
Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q
Hermetisch dichtes Metallgehäuse
q
SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
q
SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,
BPY 63
q
SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
IR-Gerätefernsteuerungen
Features
q
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
Anode is electrically connected to the case
q
High reliability
q
Matches all Si-Photodetectors
q
Hermetically sealed package
q
SFH 480: Same package as SFH 216
q
SFH 481: Same package as BPX 43,
BPY 63
q
SFH 482: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
q
Photointerrupters
q
IR remote control of various equipmet
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Semiconductor Group
3
1998-04-16
Grenzwerte (
T
C
= 25
°
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 481:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
°
C
SFH 480, SFH 482:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 125
°
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
200
mA
Stoßstrom,
t
p
= 10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
470
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
±
6
±
15
±
30
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.16
mm
2
Semiconductor Group
4
1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
0.4
×
0.4
mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482
H
H
H
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
mm
mm
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.6/0.5
µ
s
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
V
F
V
F
1.50
(
1.8)
3.00
(
3.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
µ
A
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
12
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.25
nm/K
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Semiconductor Group
5
1998-04-16
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird
sichergestellt, da
bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über
Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken gro
er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Me
verfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Grö
e. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag "E 7800", der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
480-2
SFH
480-3
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
40
63
10
10
20
16
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
I
e typ.
540
630
220
130
220
mW/sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
482
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
3.15
3.15
6.3
5
10
8
1.6 ... 3.2
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
I
e typ.
40
65
80
mW/sr
PDF 
ZIP