Semiconductor Group
2
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 4590
SFH 4595
on request
on request
5 mm-LED-Gehäuse (T1
3
/
4
), klar, Anschlüsse im 2,54-mm
Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß
5-mm-LED package (T1
3
/
4
), clear, solder tabs 2.54-mm (
1
/
10
"),
anode marking: short lead
Features
q
High pulse power and high radiant flux
e
q
Very short switching times (10 ns)
q
Low forward voltage and power dissipation
q
Very high long-time stability
q
High reliability
q
Available on tape and reel
q
Suitable for surface mounting (SMT)
q
Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
q
Spectral match with silicon photodetectors
Applications
q
High data transmission rate up to 100 Mbaud
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
q
Analog and digital Hi-Fi audio and video
signal transmission
q
Low power consumption (battery) equipment
q
Suitable for professional and high-reliability
applications
q
Alarm and safety equipment
q
IR free air transmission
Wesentliche Merkmale
q
Hohe Pulsleistung sowie hoher
Gesamtstrahlungsfluß
e
q
Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
q
Geringe Vorwärtsspannung und
Leistungsaufnahme
q
Sehr hohe Langzeitstabilität
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gegurtet lieferbar
q
Geeignet für Oberflächenmontage (SMT)
q
Gleiches Gehäuse wie Photodiode SFH 2500/
SFH 2505 und Phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
q
Spektrale Anpassung an Si-Photodetektoren
Anwendungen
q
Schnelle Datenübertragung mit
Übertragungsraten bis zu 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
q
Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Video-
signalübertragung
q
Batteriebetriebene Geräte (geringe Strom-
aufnahme)
q
Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeits-
ansprüchen bzw. erhöhten Ansprüchen
q
Alarm- und Sicherungssysteme
q
IR Freiraumübertragung
Semiconductor Group
3
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Grenzwerte (
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Durchla
strom
Forward current
I
F
(DC)
100
mA
Sto
strom,
t
p
=
10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
2
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200
mW
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and
PCB max. 10 mm
R
thJA
375
K/W
Semiconductor Group
4
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms
25
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
±
14
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
0.3
×
0.3
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von
90% auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
t
P
= 20 ms,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
10
ns
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
35
pF
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
V
F
V
F
1.5
(
2.0)
3.0
(
3.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
I
R
0.01
(
10)
µ
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
25
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.44
%/K
Semiconductor Group
5
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.13
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e typ
25
60
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
I
e typ
350
mW/sr
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron soldering (with 1.5-mm-bit)
Lötbad-
temperatur
Temperature
of the
soldering
bath
Maximal
zulässige
Lötzeit
Max. perm.
soldering
time
Abstand
Lötstelle
Gehäuse
Distance
between
solder joint
and case
Temperatur
des Kolbens
Temperature
of the solder-
ing iron
Maximale
zulässige
Lötzeit
Max. permissi-
ble soldering
time
Abstand
Lötstelle
Gehäuse
Distance
between
solder joint
and case
260
°
C
10 s
1.5 mm
300
°
C
3 s
1.5 mm
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
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ZIP
