Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
q
Gute Linearität (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
q
Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Oberflächenmontage geeignet
q
Gegurtet lieferbar
q
SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421
SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426
q
SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
q
Very highly efficient GaAs-LED
q
Good Linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
q
DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Suitable for surface mounting (SMT)
q
Available on tape and reel
q
SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 same package as SFH 325/426
q
SFH 425: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420
SFH 425
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GPL06880
1.1
0.9
2.54
spacing
(2.4)
2.8
2.4
4.2
3.8
(2.85)
0.7
4.2
3.8
(2.9)
3.8
3.4
(R1)
Collector/Cathode marking
Cathode/
Collector
Anode/
Emitter
fpl06724
fpl06867
GPL06724
(typ)
0.7
0.9
1.7
2.1
0.12
0.18
0.5
1.1
3.3
3.7
0.4
0.6
2.6
3.0
2.1
2.3
Cathode/Collector marking
3.0
3.4
2.4
Approx. weight 0.03 g
0.8
0.6
0.1
Cathode/Collector
SFH 420 TOPLED
®
SFH 425 SIDELED
®
SFH 420
SFH 425
Semiconductor Group
2
1997-11-01
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Grenzwerte (
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 420
SFH 425
Q62702-P1690
Q62702-P0330
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
SIDELED
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
°
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
100
mA
Stoßstrom,
=
10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
160
mW
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted on
PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
R
thJA
R
thJS
450
200
K/W
K/W
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For drive and control circuits
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 420
SFH 425
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
±
60
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
0.3
×
0.3
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.5
µ
s
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
V
F
V
F
1.3
(
1.5)
2.3
(
2.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
µ
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
14
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.3
nm/K
SFH 420
SFH 425
Semiconductor Group
4
1997-11-01
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping at radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
> 2.5
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
I
e typ.
38
mW/sr
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
OHR01938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
OHR01554
V
F
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
F
A
1
2
3
4
V
5
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01551
10
-3
F
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
e 100 mA
e
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
A
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
OHR00883
0
F
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
mA
°C
T
A
= 450 K/W
thjA
R
Radiation characteristics
S
rel
=
f
(
)
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0°
10°
20°
40°
30°
OHL01660
50°
60°
70°
80°
90°
100°
0°
20°
40°
60°
80°
100°
120°
Semiconductor Group
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1997-11-01
SFH 420
SFH 425
Löthinweise
Soldering conditions
Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff.
For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on
page 169ff.
Bauform
Types
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Reflowlötung
Reflow soldering
Lötbad-
temperatur
Temperature
of the
soldering
bath
Maximal
zulässige
Lötzeit
Max. perm.
soldering
time
Abstand
Lötstelle
Gehäuse
Distance
between
solder joint
and case
Lötzonen-
temperatur
Temperature
of soldering
zone
Maximale
Durchlaufzeit
Max. transit
time
TOPLED
SIDELED
260
°
C
10 s
245
°
C
:
225
°
C
10 s
10 s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
t
p
)
duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 20
°
C
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
F
t
p
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
s
D
=
PDF 
ZIP