Semiconductor Group
1
11.96
5 mm (T1
3
/
4
) LED, Diffused
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
LH 5464
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LH 5464-MQ
LH 5464-N
LH 5464-P
LH 5464-Q
LH 5464-NR
hyper-red
red diffused
10 ... 125
25 ...
50
40 ...
80
63 ... 125
25 ... 200
Q62703-Q3829
Q62703-Q3830
Q62703-Q2753
Q62703-Q3831
Q62703-Q3832
VEX06713
Besondere Merkmale
q
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
q
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie
q
besonders hohe Lichtstärke
q
Lötspieße ohne Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colored, diffused package
q
double heterojunction in GaAIAs technology
q
especially high luminous intensity
q
solder leads without stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
LH 5464
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
°C
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
40
mA
Stoßstrom
Surge current
t
10
µ
s, D = 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 °C
P
tot
120
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
Semiconductor Group
3
LH 5464
Kennwerte (
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
660
nm
Dominantwellenlänge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
645
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
35
Grad
deg.
Durchlaßspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
1.75
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 3 V
I
R
I
R
0.01
10
µ
A
µ
A
Kapazität
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
25
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µ
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
140
110
ns
ns
Semiconductor Group
4
LH 5464
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 °C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LH 5464
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 °C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 °C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 °C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
6
LH 5464
Wellenlänge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaßspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(25
°
C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group
7
LH 5464
Maßzeichnung
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Anodenkennzeichnung:
Kürzerer Lötspieß
Anode mark:
Short solder lead
GEX06718
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