Semiconductor Group
1
11.96
3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
VEX06710
Besondere Merkmale
q
eingefärbtes, klares Gehäuse
q
zur Einkopplung in Lichtleiter
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
Lötspieße mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colored, clear package
q
optical coupling into light pipes
q
for use as optical indicator
q
solder leads with stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3340-KN
LS 3340-L
LS 3340-M
LS 3340-N
LS 3340-LP
super-red
red clear
6.3 ... 50.0
10.0 ... 20.0
16.0 ... 32.0
25.0 ... 50.0
10.0 ... 80.0
Q62703-Q1701
Q62703-Q1702
Q62703-Q1704
Q62703-Q2320
Q62703-Q3223
LO 3340-KN
LO 3340-L
LO 3340-M
LO 3340-N
LO 3340-LP
orange
orange clear
6.3 ... 50.0
10.0 ... 20.0
16.0 ... 32.0
25.0 ... 50.0
10.0 ... 80.0
Q62703-Q1886
Q62703-Q2256
Q62703-Q2255
Q62703-Q2473
Q62703-Q2628
LY 3340-JM
LY 3340-L
LY 3340-M
LY 3340-N
LY 3340-LP
yellow
yellow clear
4.0 ... 32.0
10.0 ... 20.0
16.0 ... 32.0
25.0 ... 50.0
10.0 ... 80.0
Q62703-Q1789
Q62703-Q1791
Q62703-Q1999
Q62703-Q2652
Q62703-Q1792
LG 3330-KN
LG 3330-L
LG 3330-M
LG 3330-N
LG 3330-LP
green
colorless clear
6.3 ... 50.0
10.0 ... 20.0
16.0 ... 32.0
25.0 ... 50.0
10.0 ... 80.0
Q62703-Q1698
Q62703-Q1699
Q62703-Q1700
Q62703-Q2010
Q62703-Q2011
LP 3340-JL
LP 3340-K
LP 3340-L
LP 3340-KM
pure green
green clear
4.0 ... 20.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
6.3 ... 32.0
Q62703-Q2749
Q62703-Q2982
Q62703-Q2980
Q62703-Q3211
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LY, LG
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
°C
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
40
30
mA
Stoßstrom
Surge current
t
10
µ
s, D = 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 °C
P
tot
140
100
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Semiconductor Group
4
Kennwerte (
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlänge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
50
50
50
50
50
Grad
deg.
Durchlaßspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µ
A
µ
A
Kapazität
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
0
12
8
10
15
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µ
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Semiconductor Group
5
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 °C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Semiconductor Group
6
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 °C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 °C
LS, LO, LY, LG
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 °C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 °C
LP
Semiconductor Group
7
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Dominantwellenlänge
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Wellenlänge der Strahlung
peak
=
f
(
T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaßspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group
8
Maßzeichnung
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Kürzerer Lötspieß
Cathode mark:
Short solder lead
GEX06951
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(25
°
C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
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