Semiconductor Group
1
1998-07-15
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Großer Öffnungskegel
q
Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q
Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
Cathode is electrically connected to the case
q
High reliability
q
Wide beam
q
Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
q
DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Applications
q
IR remote control and sound transmission
q
Photointerrupters
LD 242
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
e
t
0
6
625
ø5.5
ø5.2
ø4.3
ø4.1
Chip position
3.6
3.0
14.5
12.5
ø0.45
2.54 mm
spacing
GET06625
Approx. weight 0.5 g
1
2.7
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode
Cathode (SFH 483)
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LD 242-2
Q62703-Q198
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(
1
/
10
'')
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
'')
LD 242-3
Q62703-Q199
LD 242 E7800
Q62703-Q3509
LD 242
Semiconductor Group
2
1998-07-15
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlaßstrom,
T
C
= 25
°
C
Forward current
I
F
300
mA
Stoßstrom,
10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3
A
Verlustleistung,
T
C
= 25
°
C
Power dissipation
P
tot
470
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektraler Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
±
40
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.25 mm
2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
0.5
×
0.5
mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
0.3 ... 0.7
mm
Semiconductor Group
3
1998-07-15
LD 242
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
1
µ
s
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V
C
o
40
pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
V
F
V
F
1.3
(
1.5)
1.9
(
2.5)
V
V
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
I
R
0.01
(
1
)
µ
A
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
16
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
peak
,
I
F
= 100 mA
TC
0.3
nm/K
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LD 242
Semiconductor Group
4
1998-07-15
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
measured at a solid angle of
= 0.01 sr
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,
daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich
für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag "E 7800", der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation.
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
-2
-3
7800
1)
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
I
e
I
e typ.
4 ... 8
50
> 6.3
75
1 ... 3.2
mW/sr
mW/sr
Semiconductor Group
5
1998-07-15
LD 242
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
E
)
OHR01938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01040
F
F
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
typ.
max.
V
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
C
= 25
°
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01037
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
e
e
(100 mA)
OHR01937
10
-5
s
10
2
F
mA
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
10
3
10
4
5
5
DC
0.5
0.05
0.02
0.01
0.005
D =
0.1
F
T
P
t
=
D
P
t
T
0.2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHR00971
A
0
F
0
20
40
60
80
100
°C
50
100
150
200
250
mA
300
,
T
L
= 160 K/W
thJL
R
R
thJA
= 450 K/W
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR01877
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP