©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
November, 2001 Rev. 3
1
Publication Order Number:
MJD31/D
MJD31, MJD31C (NPN),
MJD32, MJD32C (PNP)
MJD31C and MJD32C are Preferred Devices
Complementary Power
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
·
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
(No Suffix)
·
Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("1" Suffix)
·
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix)
·
Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJD31
MJD32
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJD31C
MJD32C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
CollectorEmitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
CollectorBase Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
EmitterBase Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current Continuous
Peak
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
3
5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
ÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1
ÎÎ
ÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ T
C
= 25
_
C
Derate above 25
_
C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
15
0.12
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Watts
W/
_
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation (Note 1)
@ T
A
= 25
_
C
Derate above 25
_
C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.56
0.012
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Watts
W/
_
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
65 to +150
ÎÎ
ÎÎ
_
C
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size
recommended.
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
DPAK
CASE 369A
STYLE 1
SILICON
POWER TRANSISTORS
3 AMPERES
40 AND 100 VOLTS
15 WATTS
DPAK
STRAIGHT LEADS
CASE 369
STYLE 1
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
MJD3xx
YWW
MJD3xx = Specific Device Code
xx
= 1, 1C, 2 or 2C
Y
= Year
WW
= Work Week
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
1
4
1
4
MJD3xx
YWW
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
R
JC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
8.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
R
JA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purposes
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
L
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
260
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
2. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
_
C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
CollectorEmitter Sustaining Voltage (Note 3)
(I
C
= 30 mAdc, I
B
= 0)
MJD31, MJD32
MJD31C, MJD32C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
40
100
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 40 Vdc, I
B
= 0)
MJD31, MJD32
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
MJD31C, MJD32C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
µ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
EB
= 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
µ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
1
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 4 Vdc)
(I
C
= 3 Adc, V
CE
= 4 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
25
10
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 3 Adc, I
B
= 375 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
1.2
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 3 Adc, V
CE
= 4 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
V
BE(on)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
1.8
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain Bandwidth Product (Note 4)
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f
test
= 1 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
f
T
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
3
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SmallSignal Current Gain
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
h
fe
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3. Pulse Test: Pulse Width
v
300
µ
s, Duty Cycle
v
2%.
4. f
T
=
h
fe
·
f
test
.
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
http://onsemi.com
3
0.03
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
0.07
0.3
3
70
30
300
h FE
, DC CURRENT
GAIN
V
CE
= 2 V
T
J
= 150
°
C
100
0.1
0.7
25
°
C
-55
°
C
50
0.05
0.5
1
25
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
Figure 2. Switching Time Test Circuit
Figure 3. DC Current Gain
3
0.03
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.5 0.7
3
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s
= t
s
- 1/8 t
f
T
J
= 25
°
C
t, TIME
(s)
µ
0.3
2
1
0.7
0.5
0.3
t
s
0.2
0.1
0.07
0.05
1
2
Figure 4. TurnOn Time
2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.02
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t, TIME
(s)
µ
1
0.7
0.5
0.3
0.1
0.07
0.05
0.03
0.003
Figure 5. "On" Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
V
,
VOL
T
AGE (VOL
TS)
1.4
1.2
0.4
0
+11 V
25
µ
s
0
-9 V
R
B
-4 V
D
1
SCOPE
V
CC
+30 V
R
C
t
r
, t
f
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
51
R
B
and R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE I
B
100 mA
MSD6100 USED BELOW I
B
100 mA
REVERSE ALL POLARITIES FOR PNP.
500
7
10
0.03
0.07
0.3
3
0.1
0.7
0.05
0.5
1
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
r
@ V
CC
= 10 V
t
d
@ V
BE(off)
= 2 V
0.6
0.2
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
t
f
@ V
CC
= 30 V
t
f
@ V
CC
= 10 V
2.5
0
2
1.5
1
0.5
T
A
T
C
Figure 6. TurnOff Time
T
A
(SURFACE MOUNT)
T
C
TYPICAL CHARACTERISTICS
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
http://onsemi.com
4
V CE
, COLLECT
OR-EMITTER VOL
T
AGE (VOL
TS)
5
I
B
, BASE CURRENT (mA)
10
20
1.2
0.4
0
50
100 200
500
2
0.8
T
J
= 25
°
C
1.6
2
1
I
C
= 0.3 A
1000
Figure 7. Collector Saturation Region
300
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
CAP
ACIT
ANCE (pF)
C
eb
0.1
200
100
0.5
1
10
40
T
J
= +25
°
C
t, TIME (ms)
1
0.01
1 k
0.3
0.2
0.07
r(t)
,
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE (NORMALIZED)
R
JC(t)
= r(t) R
JC
R
JC
= 8.33
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
- T
C
= P
(pk)
JC(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
SINGLE PULSE
0.01
Figure 8. Capacitance
0.7
D = 0.5
Figure 9. Thermal Response
1 A
3 A
70
50
30
0.2 0.3
2 3
5
20 30
C
cb
0.5
0.1
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
20 30
50
100
200 300 500
0.2
0.1
0.05
0.01
I C
, COLLECT
OR CURRENT
(AMPS)
10
1.5
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.01
3
150
1
0.3
0.2
3
0.05
0.03
WIRE BOND LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
5
7
20
70
10
T
C
= 25
°
C SINGLE PULSE
T
J
= 150
°
C
100
µ
s
1 ms
dc
2
0.02
0.1
0.5
2
5
Figure 10. Active Region Safe Operating Area
50
30
100
CURVES APPLY BELOW RATED V
CEO
500
µ
s
MJD31, MJD32
MJD31C, MJD32C
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 10 is based on T
J(pk)
= 150
_C; T
C
is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T
J(pk)
v 150_C. T
J(pk)
may be calculated from the data in
Figure 9. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
MJD31, MJD31C (NPN), MJD32, MJD32C (PNP)
http://onsemi.com
5
MINIMUM PAD SIZES RECOMMENDED FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
0.243 6.172
0.063 1.6
0.1
18
3.0
0.100 2.54
0.165 4.191
0.190 4.826
inches
mm
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MJD31C
DPAK
75 Units / Rail
MJD31CRL
DPAK
1800 Tape & Reel
MJD31CT4
DPAK
2500 Tape & Reel
MJD31C1
DPAK Straight Leads
75 Units / Rail
MJD31T4
DPAK
2500 Tape & Reel
MJD32C
DPAK
75 Units / Rail
MJD32CRL
DPAK
1800 Tape & Reel
MJD32CT4
DPAK
2500 Tape & Reel
MJD32C1
DPAK Straight Leads
75 Units / Rail
MJD32RL
DPAK
1800 Tape & Reel
MJD32T4
DPAK
2500 Tape & Reel
PDF 
ZIP