ChipFind - Datasheet

Part Number BUD42D

Download:  PDF   ZIP
Publication Order Number:
BUD42D/D
╘
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
August, 2003 - Rev. 2
1
BUD42D
High Speed, High Gain
Bipolar NPN Transistor with
Antisaturation Network and
Transient Voltage
Suppression Capability
The BUD42D is a state-of-the-art bipolar transistor. Tight dynamic
characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable
for light ballast applications.
Main Features:
╥
Free Wheeling Diode Built In
╥
Flat DC Current Gain
╥
Fast Switching Times and Tight Distribution
╥
"6 Sigma" Process Providing Tight and Reproducible Parameter
Spreads
╥
Epoxy Meets UL94, VO @ 1/8"
╥
ESD Ratings: Machine Model, C; >400 V
Human Body Model, 3B; >8000 V
Two Versions:
╥
BUD42D-1: Case 369D for Insertion Mode
╥
BUD42D, BUD42DT4: Case 369C for Surface Mount Mode
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Sustaining Voltage
V
CEO
350
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
V
CBO
650
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
CES
650
Vdc
Emitter-Base Voltage
V
EBO
9
Vdc
Collector Current - Continuous
- Peak (Note 1)
I
C
I
CM
4.0
8.0
Adc
Base Current - Continuous
- Peak (Note 1)
I
B
I
BM
1.0
2.0
Adc
*Total Device Dissipation @ T
C
= 25
_
C
*Derate above 25
_
C
P
D
25
0.2
Watt
W/
_
C
Operating and Storage Temperature
T
J
, T
stg
- 65 to
+150
_
C
TYPICAL GAIN
Typical Gain @ I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
Typical Gain @ I
C
= 0.3 A, V
CE
= 1 V
h
FE
h
FE
13
16
-
-
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance - Junction-to-Case
R
JC
5.0
╟
C/W
Thermal Resistance - Junction-to-Ambient
R
JA
71.4
╟
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8
from Case for 5 seconds
T
L
260
╟
C
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%
4 AMPERES
650 VOLTS
25 WATTS
POWER TRANSISTOR
Y
= Year
WW
= Work Week
BUD43D = Device Code
http://onsemi.com
1
Base
3
Emmitter
2
Collector
4
Collector
DPAK
CASE 369C
Style 1
MARKING DIAGRAMS
1 2
3
4
DPAK
CASE 369D
Style 1
1
2
3
4
YWW
BU
D42D
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
BUD42D
DPAK
75 Units/Rail
BUD42D-1
DPAK
Straight Lead
75 Units/Rail
BUD42DT4
DPAK
2500 Tape & Reel
YWW
BU
D42D
1
Base
3
Emmitter
2
Collector
4
Collector
BUD42D
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
╟
C unless otherwise noted)
нннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
Characteristic
нннн
нннн
Symbol
ннн
ннн
Min
нннн
нннн
Typ
нннн
нннн
Max
ннн
ннн
Unit
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
OFF CHARACTERISTICS
нннннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннннн
Collector-Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 100 mA, L = 25 mH)
нннн
н
нн
н
нннн
V
CEO(sus)
ннн
н
н
н
ннн
350
нннн
н
нн
н
нннн
430
нннн
н
нн
н
нннн
-
ннн
н
н
н
ннн
Vdc
нннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
CBO
= 1 mA)
нннн
нннн
V
CBO
ннн
ннн
650
нннн
нннн
780
нннн
нннн
-
ннн
ннн
Vdc
нннннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннннн
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
EBO
= 1 mA)
нннн
н
нн
н
нннн
V
EBO
ннн
н
н
н
ннн
9.0
нннн
н
нн
н
нннн
12
нннн
н
нн
н
нннн
-
ннн
н
н
н
ннн
Vdc
ннннннннннннннн
н
ннннннннннннн
н
ннннннннннннннн
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, I
B
= 0)
нннннн
н
нннн
н
нннннн
@ T
C
= 25
╟
C
@ T
C
= 125
╟
C
нннн
н
нн
н
нннн
I
CEO
ннн
н
н
н
ннн
-
-
нннн
н
нн
н
нннн
-
-
нннн
н
нн
н
нннн
100
200
ннн
н
н
н
ннн
╣
Adc
ннннннннннннннн
ннннннннннннннн
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0)
нннннн
нннннн
@ T
C
= 25
╟
C
@ T
C
= 125
╟
C
нннн
нннн
I
CES
ннн
ннн
-
-
нннн
нннн
-
-
нннн
нннн
10
200
ннн
ннн
╣
Adc
нннннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннннн
Emitter-Cutoff Current
(V
EB
= 9 Vdc, I
C
= 0)
нннн
н
нн
н
нннн
I
EBO
ннн
н
н
н
ннн
-
нннн
н
нн
н
нннн
-
нннн
н
нн
н
нннн
100
ннн
н
н
н
ннн
╣
Adc
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ON CHARACTERISTICS
нннннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннннн
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.2 Adc)
нннн
н
нн
н
нннн
V
BE(sat)
ннн
н
н
н
ннн
-
нннн
н
нн
н
нннн
0.85
нннн
н
нн
н
нннн
1.2
ннн
н
н
н
ннн
Vdc
нннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.5 Adc)
нннн
нннн
V
CE(sat)
ннн
ннн
-
нннн
нннн
0.2
нннн
нннн
1.0
ннн
ннн
Vdc
нннннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннннн
DC Current Gain
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 2 Vdc)
(I
C
= 2 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
нннн
н
нн
н
нннн
h
FE
ннн
н
н
н
ннн
8.0
10
нннн
н
нн
н
нннн
13
12
нннн
н
нн
н
нннн
-
-
ннн
н
н
н
ннн
-
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
DIODE CHARACTERISTICS
нннннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннннн
Forward Diode Voltage
(I
EC
= 1.0 Adc)
нннн
н
нн
н
нннн
V
EC
ннн
н
н
н
ннн
-
нннн
н
нн
н
нннн
0.9
нннн
н
нн
н
нннн
1.5
ннн
н
н
н
ннн
V
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C.
10%, Pulse Width = 40
╣
s)
нннннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннн
н
нннннннннннннннннннн
Turn-Off Time
(I
C
= 1.2 Adc, I
B1
= 0.4 A, I
B2
= 0.1 A, V
CC
= 300 V)
нннн
н
нн
н
нннн
T
off
ннн
н
н
н
ннн
4.6
нннн
н
нн
н
нннн
-
нннн
н
нн
н
нннн
6.55
ннн
н
н
н
ннн
╣
s
нннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
Fall Time
(I
C
= 2.5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 A, V
CC
= 150 V, V
BE
= -2 V)
нннн
нннн
T
f
ннн
ннн
-
нннн
нннн
-
нннн
нннн
0.8
ннн
ннн
╣
s
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
нннннннн
н
нннннн
н
нннннннн
Dynamic Saturation
нннннн
н
нннн
н
нннннн
I
C
= 400 mA
I
B1
= 40 mA
ннн
н
н
н
ннн
@ 1
╣
s
нннннн
н
нннн
н
нннннн
@ T
C
= 25
╟
C
@ T
C
= 125
╟
C
нннн
н
нн
н
нннн
V
CE(dsat)
ннн
н
н
н
ннн
-
-
нннн
н
нн
н
нннн
2.8
3.2
нннн
н
нн
н
нннн
-
-
ннн
н
н
н
ннн
V
нннннннн
н
нннннн
н
нннннннн
Dynamic Saturation
Voltage:
Determined 1
╣
s and
нннннн
н
нннн
н
нннннн
I
B1
= 40 mA
V
CC
= 300 V
ннн
н
н
н
ннн
@ 3
╣
s
нннннн
н
нннн
н
нннннн
@ T
C
= 25
╟
C
@ T
C
= 125
╟
C
нннн
н
нн
н
нннн
ннн
н
н
н
ннн
-
-
нннн
н
нн
н
нннн
0.75
1.3
нннн
н
нн
н
нннн
-
-
ннн
н
н
н
ннн
нннннннн
н
нннннн
н
нннннннн
Determined 1
╣
s and
3
╣
s respectively after
rising I
B1
reaches
90% of final I
B1
нннннн
н
нннн
н
нннннн
I
C
= 1 A
I
B1
= 200 mA
ннн
н
н
н
ннн
@ 1
╣
s
нннннн
н
нннн
н
нннннн
@ T
C
= 25
╟
C
@ T
C
= 125
╟
C
нннн
н
нн
н
нннн
ннн
н
н
н
ннн
-
-
нннн
н
нн
н
нннн
2.1
4.7
нннн
н
нн
н
нннн
-
-
ннн
н
н
н
ннн
нннннннн
нннннннн
90% of final I
B1
нннннн
нннннн
I
B1
= 200 mA
V
CC
= 300 V
ннн
ннн
@ 3
╣
s
нннннн
нннннн
@ T
C
= 25
╟
C
@ T
C
= 125
╟
C
нннн
нннн
ннн
ннн
-
-
нннн
нннн
0.35
0.6
нннн
нннн
-
-
ннн
ннн
BUD42D
http://onsemi.com
3
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain @ V
CE
= 1 V
100
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h FE
, DC CURRENT
GAIN
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
T
J
= -20
╟
C
Figure 2. DC Current Gain @ V
CE
= 5 V
100
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h FE
, DC CURRENT
GAIN
Figure 3. Collector Saturation Region
3
2
0
10
0.1
0.01
0.001
I
B
, BASE CURRENT (AMPS)
I
C
= 0.2 A
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
1
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
T
J
= -20
╟
C
I
C
/I
B
= 5
V CE
, VOL
T
AGE (VOL
TS)
V CE
, VOL
T
AGE (VOL
TS)
1
T
J
= 25
╟
C
1 A
1.5 A
2 A
Figure 5. Collector-Emitter Saturation Voltage
100
1
0.01
10
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Collector-Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
T
J
= -20
╟
C
V CE
, VOL
T
AGE (VOL
TS)
V CE
, VOL
T
AGE (VOL
TS)
1
I
C
/I
B
= 8
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
T
J
= -20
╟
C
I
C
/I
B
= 10
0.4 A
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
T
J
= -20
╟
C
1
0.1
0.1
1
0.1
10
BUD42D
http://onsemi.com
4
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 7. Base-Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Base-Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
BE
, VOL
T
AGE (VOL
TS)
V
BE
, VOL
T
AGE (VOL
TS)
1
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
T
J
= -20
╟
C
1
I
C
/I
B
= 5
Figure 9. Base-Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 10. Forward Diode Voltage
10
1
0.1
10
0.1
0.01
REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT
V
BE
, VOL
T
AGE (VOL
TS)
FOR
W
ARD DIODE VOL
T
AGE (VOL
TS)
1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
╟
C
T
J
= 125
╟
C
T
J
= -20
╟
C
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
T
J
= -20
╟
C
I
C
/I
B
= 8
1
V
EC(V)
= -20
╟
C
V
EC(V)
= 125
╟
C
V
EC(V)
= 25
╟
C
BUD42D
http://onsemi.com
5
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 11. Capacitance
1000
10
1
100
10
1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. B
VCER
= f(R
BE
)
900
500
300
10000
100
10
R
BE
(W)
C, CAP
ACIT
ANCE (pF)
1000
B
800
600
400
100
C
ib
C
ob
T
J
= 25
╟
C
f
(test)
= 1 MHz
Figure 13. Resistive Switching, t
on
800
300
0
2
1
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 14. Resistive Switching, t
off
9
3
0
2
0.5
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
6
400
t, TIME
(ns)
t, TIME
(ns)
500
200
100
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
h
FE
= 5
I
Bon
= I
Boff
V
CC
= 300 V
P
W
= 40
╣
s
1
T
J
= 125
╟
C
T
J
= 25
╟
C
I
Bon
= I
Boff
V
CC
= 300 V
P
W
= 40
╣
s
Figure 15. Inductive Storage Time,
t
si
@ h
FE
= 5
4
0
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 16. Inductive Storage Time,
t
si
@ h
FE
= 10
4
2
2
1
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
3
1
3
2
t,
TIME ( s)
╣
1
I
Bon
= I
Boff
V
CE
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
╣
H
700
600
700
T
C
= 25
╟
C
(VOL
TS)
VCER
0.5
1.5
h
FE
= 10
0.5
1
1.5
2
T
J
= 25
╟
C
T
J
= 125
╟
C
I
Bon
= I
Boff
V
CE
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
╣
H
T
J
= 25
╟
C
T
J
= 125
╟
C
I
CER
= 10 mA
I
CER
= 100 mA
l
C
= 25 mH
h
FE
= 5
h
FE
= 10
t,
TIME ( s)
╣