Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

Complementary Power

Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

. . . for general purpose power and switching such as output or driver stages in
applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)

Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("ґ1" Suffix)

Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix)

Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series

Low Collector Emitter Saturation Voltage -- VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes

Fast Switching Speeds

Complementary Pairs Simplifies Designs

ннннннннннннннннннннннн

MAXIMUM RATINGS

ннннннннннннн

Rating

нннн

Symbol

нннннн

D44H11 or D45H11

ннн

Unit

ннннннннннннн

CollectorґEmitter Voltage

нннн

VCEO

нннннн

ннн

Vdc

ннннннннннннн

EmitterґBase Voltage

нннн

VEB

нннннн

ннн

Vdc

ннннннннннннн

Collector Current -- Continuous

Peak

нннн

нннннн

ннн

Adc

ннннннннннннн

Total Power Dissipation

@ TC = 25

Derate above 25

нннн

нннннн

0.16

ннн

Watts
W/

ннннннннннннн

Total Power Dissipation (1)

@ TA = 25

Derate above 25

нннн

нннннн

1.75

0.014

ннн

Watts
W/

ннннннннннннн

Operating and Storage Junction

Temperature Range

нннн

TJ, Tstg

нннннн

ґ 55 to 150

ннн

ннннннннннннннннннннннн

THERMAL CHARACTERISTICS

ннннннннннннн

Characteristic

нннн

Symbol

нннннн

Max

ннн

Unit

ннннннннннннн

Thermal Resistance, Junction to Case

нннн

нннннн

6.25

ннн

C/W

ннннннннннннн

Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)

нннн

нннннн

71.4

ннн

C/W

ннннннннннннн

Lead Temperature for Soldering

нннн

нннннн

260

ннн

(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document

by MJD44H11/D

╘

Motorola, Inc. 1995

MJD44H11
MJD45H11

CASE 369Aґ13

SILICON

POWER TRANSISTORS

8 AMPERES

80 VOLTS

20 WATTS

*Motorola Preferred Device

CASE 369ґ07

MINIMUM PAD SIZES

RECOMMENDED FOR

SURFACE MOUNTED

APPLICATIONS

0.243

6.172

0.063

1.6

0.1

3.0

0.07

1.8

0.165

4.191

0.190

4.826

inches

NPN

PNP

REV 2

MJD44H11 MJD45H11

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

нннннннннннннннннннннннннннннннннн

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(TC = 25

C unless otherwise noted)

нннннннннннннннннннн

Characteristic

нннн

Symbol

нннн

Min

нннн

Typ

нннн

Max

ннн

Unit

нннннннннннннннннннннннннннннннннн

OFF CHARACTERISTICS

нннннннннннннннннннн

CollectorґEmitter Sustaining Voltage

(IC = 30 mA, IB = 0)

нннн

VCEO(sus)

нннн

ннн

Vdc

нннннннннннннннннннн

Collector Cutoff Current

(VCE = Rated VCEO, VBE = 0)

нннн

ICES

нннн

ннн

╣

нннннннннннннннннннн

Emitter Cutoff Current

(VEB = 5 Vdc)

нннн

IEBO

нннн

ннн

╣

нннннннннннннннннннннннннннннннннн

ON CHARACTERISTICS

нннннннннннннннннннн

CollectorґEmitter Saturation Voltage

(IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc)

нннн

VCE(sat)

нннн

ннн

Vdc

нннннннннннннннннннн

BaseґEmitter Saturation Voltage

(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)

нннн

VBE(sat)

нннн

1.5

ннн

Vdc

нннннннннннннннннннн

DC Current Gain

(VCE = 1 Vdc, IC = 2 Adc)

нннн

hFE

нннн

ннн

нннннннннннннннннннн

DC Current Gain

(VCE = 1 Vdc, IC = 4 Adc)

нннн

ннн

нннннннннннннннннннннннннннннннннн

DYNAMIC CHARACTERISTICS

нннннннннннннннннннн

Collector Capacitance

(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)

MJD44H11
MJD45H11

нннн

Ccb

нннн

--
--

нннн

130
230

нннн

--
--

ннн

нннннннннннннннннннн

Gain Bandwidth Product

(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)

MJD44H11
MJD45H11

нннн

--
--

нннн

50
40

нннн

--
--

ннн

MHz

нннннннннннннннннннн

SWITCHING TIMES

нннн

ннн

нннннннннннннннннннн

Delay and Rise Times

(IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc)

MJD44H11
MJD45H11

нннн

td + tr

нннн

--
--

нннн

300
135

нннн

--
--

ннн

нннннннннннннннннннн

Storage Time

(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)

MJD44H11
MJD45H11

нннн

--
--

нннн

500
500

нннн

--
--

ннн

нннннннннннннннннннн

Fall Time

(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc)

MJD44H11
MJD45H11

нннн

--
--

нннн

140
100

нннн

--
--

ннн

MJD44H11 MJD45H11

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

t, TIME (ms)

0.01

1 k

0.3

0.2

0.07

r(t)

, EFFECTIVE

TRANSIENT

THERMAL

JC(t) = r(t) R

JC = 6.25

╟

C/W MAX

D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) ґ TC = P(pk)

JC(t)

P(pk)

DUTY CYCLE, D = t1/t2

0.01

RESIST

ANCE (NORMALIZED)

0.7

Figure 1. Thermal Response

0.5

0.1

0.05

0.03

0.02

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

100

200 300

500

0.2

SINGLE PULSE

D = 0.5

0.1

0.02

0.01

0.05

I C

, COLLECT

OR CURRENT

(AMP)

VCE, COLLECTORґEMITTER VOLTAGE (VOLTS)

0.02

100

0.5

0.1

THERMAL LIMIT @ TC = 25

╟

WIRE BOND LIMIT

100

╣

0.05

0.3

Figure 2. Maximum Forward Bias

Safe Operating Area

1 ms

500

╣

5 ms

There are two limitations on the power handling ability of a

transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC ґ VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.

The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 150

C; TC is

variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)

150

C. TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-

ure 1. At high case temperatures, thermal limitations will re-
duce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.

T, TEMPERATURE (

╟

100

125

150

, POWER DISSIP

TION (W

TTS)

2.5

1.5

0.5

TA TC

Figure 3. Power Derating

SURFACE

MOUNT

Part Number MJD44H11