vorläufige Daten
preliminary data
T
C
=
70 °C
I
C,nom.
20
A
T
C
=
25 °C
I
C
26
A
min.
typ.
max.
-
1,95
2,55
V
-
2,20
-
V
date of publication:
2002-12-17
revision: 2.0
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
reverse transfer capacitance
mA
V
CE
=
Q
G
600 V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
Rückwirkungskapazität
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C, I
C
= 0,5
nF
-
0,08
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
-
C
res
prepared by: P. Kanschat
Kollektor Emitter Reststrom
approved: M. Hierholzer
collector emitter cut off current
V
GES
repetitive peak forward current
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
Periodischer Spitzenstrom
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
Isolations Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
kV
V
CES
V
A
I
CRM
V
ISOL
V
A²s
W
A
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C, I
C
= I
C,nom
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
gate charge
Gate Emitter Spitzenspannung
Gate Schwellenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
DC forward current
insulation test voltage
V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C, I
C
= I
C,nom
DC collector current
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
Kollektor Dauergleichstrom
collector emitter voltage
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
T
vj
= 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
P
tot
T
c
= 25°C, Transistor
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
t
p
= 1ms, T
C
= 70
A
repetitive peak collector current
73
I
F
°C
t
p
= 1ms
I
FRM
V
nF
0,9
-
0,11
-
µC
5,5
6,5
-
-
4,5
-
-
I
GES
I
CES
nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
-
400
I²t value
I²t
V
GE(th)
C
ies
Grenzlastintegral
collector emitter saturation voltage
Gateladung
V
GE
= -15V...+15V
gate threshold voltage
2,5
600
40
89
+20
20
40
-
5
mA
1 (8)
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
I
C
=
20
13
-
20
-
ns
13
-
21
-
ns
I
C
=
20
13
-
7
-
ns
13
-
8
-
ns
I
C
=
20
13
-
80
-
ns
13
-
110
-
ns
I
C
=
20
13
-
18
-
ns
13
-
25
-
ns
I
C
=
20
R
G
= 13
15 nH
I
C
=
20
R
G
= 13
15 nH
V
CC
=
I
F
= 20
-
1,35
1,9
V
I
F
= 20
-
1,30
-
V
I
F
= 20
A/µs
V
R
=
-
51
-
A
V
R
=
-
53
-
A
I
F
= 20
A/µs
V
R
=
-
1,3
-
µC
V
R
=
-
2,0
-
µC
I
F
= 20
A/µs
V
R
=
-
0,40
-
mJ
V
R
=
-
0,55
-
mJ
, T
vj
= 125°C
, T
vj
= 125°C, L
=
, T
vj
= 125°C, L
=
360 V, V
CEmax
=V
CES
-L
CE
·|di/dt|
300 V
A, V
CC
= 300 V
V
GE
= ±15V, R
G
=
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
=
, T
vj
= 125°C
V
GE
= ±15V, R
G
=
V
GE
= ±15V, R
G
=
, T
vj
= 25°C
A, V
CC
= 300 V
V
GE
= ±15V, R
G
=
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
=
, T
vj
= 125°C
V
300
A, V
CC
= 300 V
, T
vj
= 125°C
V
GE
= ±15V, R
G
=
V
GE
= ±15V, R
G
=
, T
vj
= 25°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
t
r
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
300 V
A, V
CC
=
V
F
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
Durchlassspannung
A, V
CC
=
t
f
A, V
CC
=
m
Charakteristische Werte / characteristic values
mJ
-
mJ
E
on
0,65
t
d,off
-
R
CC´/EE´
T
c
= 25°C
SC data
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
-
-
0,45
-
-
-
8
Q
r
E
rec
Diode Wechselrichter / diode inverter
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
turn off energy loss per pulse
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
A
Kurzschlussverhalten
t
P
10µsec, V
GE
15V, T
vj
= 125°C,
I
SC
-
E
off
90
2700
300 V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
300 V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
A, -di
F
/dt =
A, -di
F
/dt =
300 V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
stray inductance module
Modulinduktivität
L
CE
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
2700
A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
nH
-
25
-
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
300 V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
300 V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
A, -di
F
/dt =
2700
300 V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
2 (8)
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
-
1,40
K/W
-
- 2,30
K/W
-
1,65
-
K/W
- 2,75
- K/W
-
0,45
-
K/W
-
0,75
-
K/W
R
thCH
thermal resistance, case to heatsink, DC
Diode Wechselrichter / diode inverter
Paste
= 1 W/m*K /
grease
= 1 W/m*K
g
weight
G
25
Gewicht
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
F
creepage distance
Abweichung von R
100
T
c
= 25°C
P
25
power dissipation
R
thJH
thermal resistance, junction to heatsink; DC
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
-
k
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5
-
5
Verlustleistung
T
c
= 100°C, R
100
= 493
R/R
-
5
R
25
Wärmewiderstand; DC
Transistor Wechselr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
B-value
deviation of R
100
%
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
T
c
= 25°C
rated resistance
mW
150
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
B-Wert
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
-
3375
-
K
20
-
-
-40
-
-
-
°C
°C
terminal to terminal
Al
2
O
3
mm
-
125
20..50
storage temperature
operation temperature
maximum junction temperature
125
T
vjmax
T
op
T
stg
-40
Betriebstemperatur
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Transistor Wechselr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
Lagertemperatur
Paste
= 1 W/m*K /
grease
= 1 W/m*K
Übergangs-Wärmewiderstand, DC
Transistor Wechselr. / transistor inverter
Kriechstrecke
Anschluss - Kühlkörper
Anschluss - Anschluss
10,5
Anschluss - Anschluss
Luftstrecke
Anschluss - Kühlkörper
Anpresskraft pro Feder
mounting force per clamp
terminal to terminal
clearance distance
terminal to heatsink
mm
mm
5
mm
5
9
°C
terminal to heatsink
N
R
thJC
225
3 (8)
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
= f(V
CE
)
V
GE
= 15V
output characteristic (typical)
output characteristic (typical)
T
vj
= 125°C
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
I
C
= f(V
CE
)
Ausgangskennlinie (typisch)
0
10
20
30
40
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
V
CE
[V]
I
C
[A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
10
20
30
40
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
I
C
[A]
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
4 (8)
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
I
F
= f(V
F
)
forward characteristic of inverse diode (typical)
0
10
20
30
40
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
[V]
I
C
[A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
10
20
30
40
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
V
F
[V]
I
F
[A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5 (8)
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
on
= f(I
C
), E
off
= f(I
C
), E
rec
= f(I
C
)
V
GE
= ±15V, R
Gon
=R
Goff
= 13
, V
CE
= 300V, T
vj
= 125°C
E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
V
GE
= ±15V, I
C
= 20A, V
CE
= 300V, T
vj
= 125°C
Schaltverluste (typisch)
switching losses (typical)
Schaltverluste (typisch)
switching losses (typical)
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
C
[A]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
0
1
2
0
20
40
60
80
100
120
R
G
[
]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
6 (8)
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Transienter Wärmewiderstand
transient thermal impedance
i
r
i
[K/kW]: IGBT
i
[s]: IGBT
r
i
[K/kW]: Diode
i
[s]: Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
reverse bias safe operation area (RBSOA)
550,0
1540,0
495,0
0,00031
0,00508
0,10706
0,14371
Z
thJH
= f (t)
1
2
3
4
V
GE
=15V, T
j
=125°C, R
G
= 13
99,0
330,0
924,0
297,0
0,00043
0,00942
0,11831
0,17410
165,0
0
20
40
0
200
400
600
V
CE
[V]
I
C
[A]
IC, Chip
IC, Modul
0,10
1,00
10,00
0,001
0,01
0,1
1
10
t (s)
Z
thJH
(K/W)
Zth:IGBT
Zth:Diode
7 (8)
vorläufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FS20R06XL4
IGBT-Module
IGBT-Modules
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Schaltbild
circuit diagram
Gehäusemaße
package outline
Bohrplan
drilling layout
8 (8)
PDF 
ZIP