Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 1200 S 33 K2 B5
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= 25°C
V
R
3300
V
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= -25°C
3300
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
1200
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
2400
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
k A
2
s
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
T
vj
= 125°C
P
RQM
1.200
kW
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
10,2
kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
V
ISOL
5,1
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaßspannung
I
F
= 1200 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
2,80
3,50
V
forward voltage
I
F
= 1200 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
2,80
3,50
V
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 4600 A/µsec
peak reverse recovery current
V
R
= 1800V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
1250
-
A
V
R
= 1800V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
-
1350
-
A
Sperrverzögerungsladung
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 4600 A/µsec
recovered charge
V
R
= 1800V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
710
-
µAs
V
R
= 1800V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
-
1320
-
µAs
Abschaltenergie pro Puls
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 4600 A/µsec
reverse recovery energy
V
R
= 1800V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
680
-
mWs
V
R
= 1800V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
-
1400
-
mWs
Modulinduktivität
stray inductance module
pro Zweig / per arm
L
sCE
-
25
-
nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
T = 25°C, pro Zweig / per arm
R
CC'+EE'
-
0,37
-
m
prepared by: Alfons Wiesenthal
date of publication : 2002-10-31
approved by: Christoph Lübke
revision: 2.0
444
mA
V
CE
= 3300V, T
vj
= 25°C
I
R
-
-
5
1 (6)
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vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wärmewiderstand
pro Diode / per diode
R
thJC
-
-
0,0170
K/W
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module
-
-
0,0085
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
Paste
= 1 W/m*K /
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,008
-
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vjop
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
56
mm
Luftstrecke
clearance
26
mm
CTI
comperative tracking index
> 600
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
Anschlüsse / terminals M4
M
1,8
-
2,1
Nm
terminal connection torque
Anschlüsse / terminals M8
M
8
-
10
Nm
Gewicht
weight
G
1000
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
Nm
Schraube M6 / srew M6
M
4,25
-
5,75
2 (6)
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vorläufige Daten
preliminary data
I
F
[A
]
V
F
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
3 (6)
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vorläufige Daten
preliminary data
I
R
[A]
V
R
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
T
vj
= 125°C
safe operation area Diode (SOA)
4 (6)
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vorläufige Daten
preliminary data
Z
th
JC
[
K
/ W
]
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: Diode
7,65
4,25
1,02
4,08
i
[sec]
: Diode
0,03
0,10
0,30
1,00
Transienter Wärmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth: Diode
5 (6)
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vorläufige Daten
preliminary data
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
6 (6)
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