1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
4
01.11.2003
4
3
2
1
3
±0.1
6.5
±0.2
0.7
3.25
2.3
7
±0
.
3
1.65
3.
5
±0
.
2
BSP 40 ... BSP 43
Switching Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
NPN
Power dissipation Verlustleistung
1.3 W
Plastic case
SOT-223
Kunststoffgehäuse
Weight approx. Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
1 = B
2, 4 = C
3 = E
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BSP 40
BSP 41
BSP 42
BSP 43
Collector-Emitter-voltage
B open
V
CE0
60 V
80 V
Collector-Base-voltage
E open
V
CB0
70 V
90 V
Emitter-Base-voltage
C open
V
EB0
5 V
Power dissipation Verlustleistung
P
tot
1.3 W
1
)
Collector current Kollektorstrom (dc)
I
C
1 A
Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom
I
CM
2 A
Peak Base current Basis-Spitzenstrom
I
BM
200 mA
Junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
150
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
- 65...+ 150
/
C
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
CB0
100 nA
I
E
= 0, V
CB
= 60 V, T
j
= 150
/
C
I
CB0
50
:
A
Emitter-Base cutoff current Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
EB0
100 nA
Collector saturation volt. Kollektor-Sättigungsspg.
2
)
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
V
CEsat
250 mV
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
V
CEsat
500 mV
1
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
5
01.11.2003
Switching Transistors
BSP 40 ... BSP 43
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
Max.
Base saturation voltage Basis-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
V
BEsat
1 V
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
V
BEsat
1.2 V
DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 100
:
A
BSP 40
BSP 42
h
FE
10
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 100 mA
h
FE
40
120
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 500 mA
h
FE
30
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 100
:
A
BSP 41
BSP 43
h
FE
30
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 100 mA
h
FE
100
300
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 500 mA
h
FE
50
Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
f
T
100 MHz
Thermal resistance Wärmewiderstand
junction to ambient air Sperrschicht zu umgebender Luft
R
thA
93 K/W
2
)
junction to soldering point Sperrschicht zu Lötpad
R
thS
12 K/W
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BSP 30, BSP 31, BSP 32, BSP 33
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ZIP