1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
3
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
4
01.11.2003
BF 599
High Frequency Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
NPN
Power dissipation Verlustleistung
250 mW
Plastic case
SOT-23
Kunststoffgehäuse
(TO-236)
Weight approx. Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
1 = B
2 = E
3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BF 599
Collector-Emitter-voltage
B open
V
CE0
25 V
Collector-Base-voltage
E open
V
CB0
40 V
Emitter-Base-voltage
C open
V
EB0
4 V
Power dissipation Verlustleistung
P
tot
250 mW
1
)
Collector current Kollektorstrom (dc)
I
C
25 mA
Base current Basisstrom (dc)
I
CM
5 mA
Junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
150
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
- 65...+ 150
/
C
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 20 V
I
CB0
100 nA
I
E
= 0, V
CB
= 20 V, T
j
= 100
/
C
I
CB0
10
:
A
Collector saturation volt. Kollektor-Sättigungsspg.
2
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
V
CEsat
150 mV
DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhältnis
3
)
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
h
FE
38
70
1
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
5
01.11.2003
High Frequency Transistors
BF 599
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
Max.
Base-Emitter voltage Basis-Emitter-Spannung
1
)
V
CE
= 10 V, I
C
= 7 mA
V
BEon
780 mV
Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
f
T
550 MHz
Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
C
CB0
0.35 pF
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
C
CE0
0.68 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
R
thA
420 K/W
2
)
Marking - Stempelung
BF 599 = NB
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