1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
1
04.02.2003
BAS 19 ... 21
Surface Mount Silicon Planar
Silizium-Planar-Diode
Small-Signal Diode
für die Oberflächenmontage
Nominal current Nennstrom
200 mA
Repetitive peak reverse voltage
85 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
SOT-23
Kunststoffgehäuse
(TO-236)
Weight approx. Gewicht ca.
0.01 g
Dimensions / Maße in mm
1 = anode
2 = n. c.
3 = cathode
Standard packaging taped and reeled
see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Working peak reverse voltage
Arbeits-Spitzensperrspannung
V
RWM
[V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
BAS 19
100
120
BAS 20
150
200
BAS 21
200
250
Max. average forward current
t
p
< 0.3 ms
I
FAV
200 mA
1
)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz
I
FRM
625 mA
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
T
j
= 25
/
C
t
p
= 1
:
s
I
FSM
2.5 A
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
= 1 s
I
FSM
0.5 A
Max. power dissipation
T
A
= 25
/
C
P
tot
500 mW
1
)
Verlustleistung
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
50...+ 150
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
50...+ 150
/
C
2
F:\Data\WP\DatBlatt\Einzelblätter\bas21.wpd
BAS 19 ... 21
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
T
j
= 25
/
C
I
F
= 100 mA
V
F
< 1.0 mV
Durchlaßspannung
I
F
= 200 mA
V
F
< 1.25 mV
Leakage current
T
j
= 25
/
C
V
R
= V
RRM
I
R
< 100 nA
Sperrstrom
T
j
= 150
/
C
V
R
= V
RRM
I
R
< 100
:
A
Junction capacitance
V
F
= V
R
= 0 V
C
tot
< 5 pF
Sperrschichtkapazität
f = 1 MHz
Reverse recovery time
I
F
= 10 mA über / through
t
rr
< 50 ns
Sperrverzug
I
R
= 10 mA bis / to I
R
= 1 mA,
U
R
= 6 V, R
L
= 100
S
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 420 K/W
1
)
Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
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ZIP